收藏本站
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN2300U
Package Outline Dimensions
A
SOT23
Dim Min Max Typ
A
0.37 0.51 0.40
H
B C
B
C
D
F
G
H
1.20 1.40 1.30
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
K
D
K1
M
J
K
K1
0.013 0.10 0.05
0.903 1.10 1.00
- - 0.400
J
F
G
L
L
0.45 0.61 0.55
M
α
0.085 0.18 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
DMN2300U
Datasheet number: DS35309 Rev. 2 - 2
X
E
C
6 of 7
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
July 2011
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMN2300UFB4-7B MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3
DMN2300UFD-7 MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN
DMN2400UFB-7 MOSF N CH 20V 750MA X1-DFN1006-3
DMN2400UFB4-7 MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
DMN2400UV-7 MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
DMN2500UFB4-7 MOSF N CH 20V 810A X2-DFN1006-3
DMN26D0UDJ-7 MOSFET 2N-CH 20V 230MA SOT963
DMN26D0UFB4-7 MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
相关代理商/技术参数
DMN2300UFB 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN2300UFB4 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN2300UFB4-7B 功能描述:MOSFET 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN2300UFB-7 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN2300UFB-7B 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN2300UFD 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN2300UFD-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN2300UFL4-7 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube